Радиоэлектроника — Смирнов В.И

Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Особое внимание уделено процессам в электронно-дырочных переходах, составляющих основу практически всех полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров. Отдельно выделены полупроводниковые элементы, предназначенные для работы в силовых устройствах и устройствах СВЧ-электроники. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 "Конструирование и технология электронных средств", профиль "Конструирование и технология...

Изложены физические основы наноэлектроники, нанофотоники и микросистемной техники. Рассмотрены вопросы, связанные с применением наноматериалов при создании водородных топливных элементов, солнечных элементов и ионисторов. Для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 11.04.03 "Конструирование и технология электронных средств", 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника".

Изложены вопросы технологии производства интегральных микросхем. Основное внимание уделено вопросам формирования структуры полупроводниковых микросхем. Рассмотрена технология получения тонких пленок в гибридных интегральных схемах. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 "Конструирование и технология электронных средств", профиль "Конструирование и технология электронных средств".